其核心在于利用高能激光束对AS纳米银浆进行局部烧结，形成高导电、高导热的互连结构，同时避免传统高温工艺对基材的损伤。以下从技术原理、核心优势、应用场景及未来趋势展开分析：
核心优势与术突破：性能跃升：导电性：AS9120纳米烧结银浆体电阻率可低至4.7μΩ·cm（传统丝网印刷银触点约20-100μΩ·cm）。
热管理：AS9376烧结银膏热导率260 W/m·K，是传统焊料的4倍，满足SiC/GaN器件散热需求。
可靠性：剪切强度>45 MPa，通过-55~175℃热循环测试（>1000次）。
封装与3D集成
AI芯片：烧结银TIM材料热阻低至0.1℃·cm/W，支撑算力密度60 TOPS/mm³。
卫星通信：抗辐射封装（耐10⁶rad剂量），相控阵天线增益提升15%。
工艺优化与挑战：关键参数控制
激光参数：功率（11.8 W）、扫描速度（1-5mm/s）、光斑距针尖距离（1.5-2 mm）需精确匹配。
银浆配方：高粘度纳米银浆AS9120（11,000-67,000cP）可提升线高至18μm，降低电阻率。
现存挑战：大面积均匀性：模块级烧结（>100 mm）易出现孔隙不均，需多激光头并行。
成本控制：纳米银粉价格高（约3000美元/kg），需开发低成本连续合成工艺。
