2N60功率MOS场效应管采用的高压DMOS工艺技术。这种工艺使器件具有优良的特性，如极快 的
开关速度，极低栅电荷，小化的导通电阻以及的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于开关电
源，DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。
2n60特征 ： 2n60参数-代换
· 2A，600V， RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V；
· 极低栅电荷，典型9nC；
·极低反向转换电容；典型5pF
· 快速开关能力；
· 增强的dV/di能力；
· 雪崩击穿测试；
· 封装型式：TO-220，TO-220F，TO-251，TO-252
· 大结温 150 ℃
刘程
