主要用于对半导体硅晶圆、化合物半导体晶圆（SiC、GaAs、GaP等）、氧化物半导体晶圆（LiTaO3 等）等半导体晶圆进行、精密划切，实现芯片单体化。
硅橡胶 电子硅酮胶 粘接胶 密封胶 封装胶 耐热胶 防火胶 邦定胶 绿胶 红胶 透明胶 青红胶 喇叭胶 环氧树脂 硅油 变压器用胶 手机用胶 马达用胶 扬声器用胶 有机硅胶 导热硅脂 摄像头用胶 LCD用胶 LED用胶 电源用胶 半导体电子胶 COB胶 UV 胶 导电胶 导热胶 电器灌封胶 发泡胶 底部填充胶 环氧树脂 聚氨酯 有机硅胶 RTV硅胶 HTV硅胶点胶机 防静电涂料 防静电工作服 防静电台垫 白光焊接各种电子产品的销售.具UL和SGS MIL认证资格.是电子 半导体 电器 光电 电机等行业。
刀刃部分采用精密电铸工艺制备而成，刀刃厚度范围：10μm~100μm，微粉粒径范围：1500#~5000#。
拥有6档磨粒集中度等级，适用晶圆种类范围更广；具有出色的通用性，能够适应各种复杂场景的划切需求，包括切割道内含有金属、 Pl/PO等各类工况；在切割水含有CO2的环境中，表现出的耐腐蚀性能；在划切超厚晶圆时（如晶圆级封装芯片），槽型可稳定保持垂直状态。
北京汐源科技有限公司 汉高北京代理 Ablestik 贝格斯道康宁 3M 洛德经销商
LED 电源 新能源行业胶黏剂供应商 技术人员提供整体用胶解决方案。
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半导体晶圆切割用划片刀头在切割时，线速度是一个非常重要的参数，可以直接影响到切割效率和切割质量。 以下是关于金刚石刀头切割过程中线速度的介绍： 线速度是指切割线每分钟旋转的圈数，单位为m/min。 线速度过快，金刚石颗粒就会被削短，使刀头变钝，而且金刚石颗粒很容易掉落，影响切割质量。 线速度过慢，刀头会过度磨损，切割效率低下。 金刚石刀头切割时，应根据不同的材料选择合适的线速度。
崩边
正崩主要发生在晶圆的切割面（正面），背崩是指晶圆背面的崩边。不管正崩与背崩，在晶圆划片时都是不被允许的。崩边产生的原因有：
1，不恰当的切割参数导致崩边
2，刀片磨损严重，钝化的刀片边缘增加了切割过程中的不规则作用力，从而增加了崩边的可能性
3，刀片中的金刚石等磨料颗粒在切割过程中与晶圆表面材料发生撞击，导致崩边
北京汐源科技有限公司 汉高授权代理商，专注于电源、新能源、汽车电子、半导体行业胶黏剂产品，公司拥有一批高素质的技术人员，为了客户提供胶黏剂技术一站式解决方案。
公司主要经营品牌包含：汉高、乐泰、汉新、道康宁、洛德、3M等。
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经营设备：晶圆划片机 芯片键合机 点胶机 平行封焊机等。
失效分析技术：Decap开盖，x-ray，快速封装，陶瓷封装，管壳封装，气密性测试，拉力测试，剪切力测试等。
乐泰CP9410 贮存条件
佳贮存温度：8-21℃. 贮存温度低于8℃或者28℃对产品
性能可能有影响. 不要将任何材料倒回原包装内，除了以上
所指出的以外，对于产品被污染或在某些条件下贮存，汉高有
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务代表联系.
颗粒越大，刀片寿命越长；颗粒越小，刀片寿命越短。 颗粒集中度的影响 颗粒集中度对划片质量也非常关键。 关于相同的金刚石颗粒大小会消费出不同集中度的刀片，划片效果也会有很大差别。 目前，划片刀常见有5种规格，分别是：50、70、90、110、130。 依据实践测试得出，高集中度的金刚石颗粒，划片阻力小，划片速度快，，还能够延长划片刀的寿命，减少晶圆正面崩缺
高密度的金刚石颗粒可以延长划片刀的寿命，同时也可以减少晶圆背面崩角。而低密度的金刚石颗粒可以减少正面崩角。硬的粘结材料可以更好地“固定”金刚石颗粒，因而可以提高划片刀的寿命，而软的粘结材料能够加速金刚石颗粒的“自我锋利”（Self Sharpening）效应，令金刚石颗粒保持尖锐的棱角形状，因而可以减小晶圆的正面崩角或分层，但代价是划片刀寿命的缩短。刀锋的长度应根据晶圆的厚度，承载薄膜的厚度，大允许的崩角的尺寸来进行定义，刀锋不能选得过长，因为长的刀锋会在切割时引起刀片的摆动，会导致较大的崩角。
